一直以來,都說國產(chǎn)的芯片與國外的芯片差距很大,究竟為什么國產(chǎn)的企業(yè)很多用的都是國外的設(shè)備,在工藝上沒有國外那么先進,那差別究竟有多大?企業(yè)是否自知?又有怎樣的解決方法,從今年的世界杯,小編我在想國產(chǎn)LED芯片的究竟只能在LED行業(yè)踢“中超”,還是能走出國門踢“世界杯”呢?
昨天上午在OFweek半導(dǎo)體照明網(wǎng)上看到一則關(guān)于LED芯片企業(yè)上海藍(lán)光的報道。從這篇報道上,讓小編我對于目前上游芯片市場的火熱感到些擔(dān)憂,中國的芯片市場是怎樣的?未來又應(yīng)該怎么呢?小編我為了更深入了解國內(nèi)外的芯片企業(yè)差距在哪?如何應(yīng)對....等問題,淺析了下目前在技術(shù)層次的差異。
技術(shù)差異之襯底
目前國內(nèi)外有很多LED芯片廠家,但國內(nèi)外技術(shù)對比方面,國外芯片技術(shù)新,國內(nèi)芯片重產(chǎn)量不重技術(shù)。
據(jù)了解,目前LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外,氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。雖然市面上大多都是采用藍(lán)寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵,但是這兩種材料價格非常昂貴,且都被國外大企業(yè)所壟斷,而硅襯底不僅具有價格優(yōu)勢,也可制作出尺寸更大的襯底,提高MOCVD的利用率,從而提高管芯產(chǎn)率。所以,為突破國際專*壁壘,中國LED企業(yè)更多開始著手硅襯底材料的研究。但問題是,硅與氮化鎵的高質(zhì)量結(jié)合是LED芯片的技術(shù)難點,兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術(shù)問題長期以來阻礙著芯片領(lǐng)域的發(fā)展。