藉由提高晶片面積來(lái)增加發(fā)光量

期望改善白光LED的發(fā)光效率，目前有兩大方向，就是提高LED晶片的面積，也就是說(shuō)，將目前面積為1m㎡的小型晶片，將發(fā)光面積提高到10m㎡的以上，藉此增加發(fā)光量，或把幾個(gè)小型晶片一起封裝在同一個(gè)模組下。

雖然，將LED晶片的面積予以大型化，藉此能夠獲得高多的亮度，但因過(guò)大的面積，在應(yīng)用過(guò)程和結(jié)果上也會(huì)出現(xiàn)適得其反的現(xiàn)象。所以，針對(duì)這樣的問(wèn)題，部分LED業(yè)者就根據(jù)電極構(gòu)造的改良，和覆晶的構(gòu)造，在晶片表面進(jìn)行改良，來(lái)達(dá)到50lm/W的發(fā)光效率。

例如在白光LED覆晶封裝的部分，由于發(fā)光層很接近封裝的附近，發(fā)光層的光向外部散出時(shí)，因此電極不會(huì)被遮蔽的優(yōu)點(diǎn)，但缺點(diǎn)就是所產(chǎn)生的熱不容易消散。

而并非進(jìn)行晶片表面改善后，再加上增加晶片面積就絕對(duì)可以一口氣提昇亮度，因?yàn)楫?dāng)光從晶片內(nèi)部向外散射時(shí)，晶片中這些改善的部分無(wú)法進(jìn)行反射，所以在取光上會(huì)受到一點(diǎn)限制，根據(jù)計(jì)算，最佳發(fā)揮光效率的LED晶片尺寸是在7m㎡左右。

利用封裝數(shù)個(gè)小面積LED晶片快速提高發(fā)光效率

和大面積LED晶片相比，利用小功率LED晶片封裝成同一個(gè)模組，這樣是能夠較快達(dá)到高亮度的要求，例如，Citizen就將8個(gè)小型LED封裝在一起，讓模組的發(fā)光效率達(dá)到了60lm/W,堪稱是業(yè)界的首例。

但這樣的做法也引發(fā)的一些疑慮，因?yàn)槭菍⒍囝wLED封裝在同一個(gè)模組上，所以在模組中必須置入一些絕緣材料，以免造成LED晶片間的短路情況發(fā)生，不過(guò)，如此一來(lái)就會(huì)增加了不少的成本。

對(duì)此Citizen的解釋是，事實(shí)上對(duì)于成本的影響幅度是相當(dāng)小的，因?yàn)橄噍^于整體的成本比例，這些絕緣材料僅不到百分之一，并因可以利用現(xiàn)有的材料來(lái)做絕緣應(yīng)用，這些絕緣材料不需要重新開(kāi)發(fā)，也不需要增加新的設(shè)備來(lái)因應(yīng)。

雖然Citizen的解釋理論上是合理的，但是，對(duì)于較無(wú)經(jīng)驗(yàn)的業(yè)者來(lái)說(shuō)，這就是一項(xiàng)挑戰(zhàn)，因?yàn)闊o(wú)論在良率、研發(fā)、生產(chǎn)工程上都是需要予以克服的。

當(dāng)然，還有其他方式可達(dá)到提高發(fā)光效率的目標(biāo)，許多業(yè)者發(fā)現(xiàn)，在LED藍(lán)寶石基板上制作出凹凸不平坦的結(jié)構(gòu)，這樣或許可以提高光輸出量，所以，有逐漸朝向在晶片表面建立texture或PhotONics結(jié)晶的架構(gòu)。

例如德國(guó)的OSRAM就是以這樣的架構(gòu)開(kāi)發(fā)出“ThinGaN”高亮度LED,OSRAM是在InGaN層上形成金屬膜，之后再剝離藍(lán)寶石。這樣，金屬膜就會(huì)產(chǎn)生映射的效果而獲得更多的光線取出，而根據(jù)OSRAM的資料顯示，這樣的結(jié)構(gòu)可以獲得75%的光取出效率。

逐漸有業(yè)者利用覆晶的構(gòu)造，來(lái)期望達(dá)到50lm/W的發(fā)光效率，由于發(fā)光層很接近封裝的附近，發(fā)光層的光向外部散出時(shí)，因此電極不會(huì)被遮蔽。

當(dāng)然，除了晶片的光取出方面需要做努力外，因?yàn)槠谕�能夠獲得更高的光效率，在封裝的部分也是必須做一些改善。事實(shí)上，每多增加一道的工程都會(huì)對(duì)光取出效率帶來(lái)一些影響，不過(guò)，這并不代表著，因?yàn)榉庋b的制程就一定會(huì)增加更高的光損失，就像日本OMROM所開(kāi)發(fā)的平面光源技術(shù)，就能夠大幅度的提昇光取出效率，這樣的結(jié)構(gòu)OMROM是將LED所射出的光線，利用LENS光學(xué)系統(tǒng)以及反射光學(xué)系統(tǒng)來(lái)做控制的，所以O(shè)MROM稱之為“Doublereflection光學(xué)系統(tǒng)”。

利用這樣的結(jié)構(gòu)，可將傳統(tǒng)炮彈型封裝等的LED所造成的光損失，針對(duì)封裝的廣角度反射來(lái)獲得更高的光效率，更進(jìn)一步的是，在表面所形成的Mesh上進(jìn)行加工，而形成雙層的反射效果，這樣的方式，事實(shí)上是可以得到不錯(cuò)的光取出效率控制的。因?yàn)檫@樣的特殊設(shè)計(jì)，這些利用反射效果達(dá)到高光取出效率的LED,主要的用途是針對(duì)LCDTV背光所應(yīng)用的。

封裝材料和螢光材料的重要性增加

但如果期望用來(lái)作為L(zhǎng)CDTV背光應(yīng)用的話，那麼需要克服的問(wèn)題就會(huì)更多了，因?yàn)長(zhǎng)CDTV的連續(xù)使用時(shí)間都是長(zhǎng)達(dá)數(shù)個(gè)小時(shí)，甚至10幾個(gè)小時(shí)，所以，由于這樣長(zhǎng)時(shí)間的使用情況下，拿來(lái)作為背光的白光LED就必須擁有不會(huì)因?yàn)檫B續(xù)使用而產(chǎn)生亮度衰減的情況。

目前已發(fā)表的高功率的白光LED,它的發(fā)光功率是一個(gè)低功率白光LED亮度的數(shù)十倍，所以期望利用高功率白光LED來(lái)代替螢光燈作為照明設(shè)備的話，有一個(gè)必須克服的困難就是亮度遞減的情況。

例如，白光LED長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)使用1W的電力情況下，會(huì)造成連續(xù)使用后半段時(shí)間的亮度逐漸降低的現(xiàn)象，當(dāng)然，不是只有高功率白光LED才會(huì)出現(xiàn)這樣的情況，低功率白光LED也會(huì)存在這樣的問(wèn)題，只不過(guò)是因?yàn)椋�低功率白光因�(yàn)閼?yīng)用的產(chǎn)品不同，所以，并不會(huì)因此特別突顯出這樣的困擾。

使用的電流愈大，當(dāng)然所獲得的亮度就愈高，這是一般對(duì)于LED能夠達(dá)到高亮度的觀念，不過(guò)，因?yàn)樗�使用的電流增加，因此所帶�?lái)的缺點(diǎn)是，封裝材料是否能夠承受這樣的長(zhǎng)時(shí)間的因?yàn)殡娏魉�產(chǎn)生的熱，也因?yàn)檫@樣的連續(xù)使用，往往封裝材料的熱抵抗會(huì)降到10k/w以下。

高功率LED的發(fā)熱量是低功率LED的數(shù)十倍，因此，會(huì)出現(xiàn)隨著溫度上升，而出現(xiàn)發(fā)光功率降低的問(wèn)題，所以在能夠抗熱性高封裝材料的開(kāi)發(fā)上，就相對(duì)顯的非常重要。

或許在20~30lm/W以下的LED,這些問(wèn)題都不存在，但是，一旦面臨60lm/w以上的高發(fā)光功率LED的時(shí)候，就不得不需要想辦法解決的，因?yàn)椋瑹嵝��?yīng)所帶來(lái)的影響，絕對(duì)不會(huì)僅僅只有LED本身，而是會(huì)