倒裝晶片所需具備的條件：

基材材是硅； 　�、陔姎饷婕昂竿乖谠�件下表面； ③組裝在基板后需要做底部填充。

倒裝晶片的定義：

其實倒裝晶片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言 的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉(zhuǎn)過來， 故稱其為“倒裝晶片”。

倒裝芯片的實質(zhì)是在傳統(tǒng)工藝的基礎上，將芯片的發(fā)光區(qū)與電極區(qū)不設計在同一個平面這時則由電極區(qū)面朝向燈杯底部進行貼裝，可以省掉焊線這一工序，但是對固晶這段工藝的精度要求較高，一般很難達到較高的良率。

倒裝芯片與與傳統(tǒng)工藝相比所具備的優(yōu)勢：

通過MOCVD技術在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P/N結髮光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區(qū)表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaN LED倒裝芯片的結構可以從根本上消除上面的問題。

倒裝LED芯片技術行業(yè)應用分析：

近年，世界各國如歐洲各國、美國、日本、韓國和中國等皆有LED照明相關項目推行。其中，以我國所推廣的“十城萬盞”計劃最為矚目。路燈是城市照明不可缺少的一部分，傳統(tǒng)路燈通常采用高壓鈉燈或金鹵燈，這兩種光源最大的特點是發(fā)光的電弧管尺寸小，可以產(chǎn)生很大的光輸出，并且具有很高的光效。但這類光源應用在道路燈具中，只有約40%的光直接通過玻璃罩到達路面，60%的光通過燈具反射器反射后再從燈具中射出。因此目前傳統(tǒng)燈具基本存在兩個不足，一是燈具直接照射的方向上照度很高，在次干道可達到50Lx以上，這一區(qū)域?qū)倜黠@的過度照明， 而兩個燈具的光照交叉處的照度僅為燈下中心位置的照度的20%-40%，光分布均勻度低；二是此類燈具的反射器效率一般僅為50%-60%，因此在反射過程中有大量的光損失，所以傳統(tǒng)高壓鈉燈或金鹵燈路燈總體效率在70-80%，均勻度低，且有照度的過度浪費。另外，高壓鈉燈和金鹵燈使用壽命通常小于6000小時，且顯色指數(shù)小于30；LED有著高效、節(jié)能、壽命長(5萬小時)、環(huán)保、顯色指數(shù)高(>75)等顯著優(yōu)點，如何有效的將LED應用在道路照明上成為了LED及路燈廠家現(xiàn)時最熱門的話題。一般而言，根據(jù)路燈的使用環(huán)境對LED的光學設計、壽命保障、防塵和防水能力、散熱處理、光效等方面均有嚴格的要求。作為LED路燈的核心，LED芯片的制造技術和對應的封裝技術共同決定了LED未來在照明領域的應用前景。

1) LED芯片的發(fā)光效率提升

LED芯片發(fā)光效率的提高決定著未來LED路燈的節(jié)能能力，隨著外延生長技術和多量子阱結構的發(fā)展，外延片的內(nèi)量子效率已有很大提高。要如何滿足路燈使用的標準，很大程度上取決于如何從芯片中用最少的功率提取最多的光，簡單而言，就是降低驅(qū)動電壓，提高光強。傳統(tǒng)正裝結構的LED芯片，一般需要在p-GaN上鍍一層半透明的導電層使電流分布更均勻，而這一導電層會對LED發(fā)出的光產(chǎn)生部分吸收，而且p電極會遮擋住部分光，這就限制了LED芯片的出光效率。而采用倒裝結構的LED芯片，不但可以同時避開P電極上導電層吸收光和電極墊遮光的問題，還可以通過在p-GaN表面設置低歐姆接觸的反光層來將往下的光線引導向上，這樣可同時降低驅(qū)動電壓及提高光強。(見圖1)另一方面，圖形化藍寶石襯底(PSS)技術和芯片表面粗糙化技術同樣可以增大LED芯片的出光效率50%以上。PSS結構主要是為了減少光子在器件內(nèi)全反射而增加出光效率，而芯片表面粗糙化技術可以減少光線從芯片內(nèi)部發(fā)射到芯片外部時在界面處發(fā)生反射的光線損失。目前，LED芯片采用倒裝結構和圖形化技術，1W功率芯片白光封裝后，5000K色溫下，光效最高達到134lm/W。