松下 CMOS型微型激光位移傳感器HG-C1100-P
| 訂貨產(chǎn)品號(hào) |
HG-C1100-P |
| 型號(hào) |
HG-C1100-P |
| 適用標(biāo)準(zhǔn)及認(rèn)證 |
CE認(rèn)證（EMC指令、RoHS指令）FDA規(guī)則、UL/c-UL認(rèn)證
（注）:自2017年3月生產(chǎn)的產(chǎn)品開(kāi)始符合UL/c-UL認(rèn)證。 |
| 測(cè)量中心距離 |
100mm |
| 測(cè)量范圍 |
±35mm |
| 重復(fù)精度 |
70μm |
| 直線性 |
±0.1% F.S. |
| 溫度特性 |
0.03% F.S./℃ |
| 光源 |
紅色半導(dǎo)體激光 2級(jí)(JIS/IEC/GB)/II級(jí)(FDA)(注)
***大輸出:1mW
投光峰波長(zhǎng)度:655nm
(注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。 |
| 光束直徑 |
約ø120μm
(注):測(cè)量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測(cè)點(diǎn) 周圍有高于檢測(cè)點(diǎn)本身的強(qiáng)反射、測(cè)定結(jié)果可能會(huì)受到影響。 |
| 電源電壓 |
12～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下 |
| 消耗電流 |
40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))
65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開(kāi)始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí)) |
| 控制輸出 |
PNP開(kāi)路集電極晶體管
***大源電流:50mA
外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
漏電流:0.1mA以下 |
| 控制輸出:輸出動(dòng)作 |
入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換 |
| 控制輸出:短路保護(hù) |
配備(自動(dòng)恢復(fù)) |
| 模擬輸出 : 模擬量電壓輸出 |
輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V)
輸出阻抗：100Ω |
| 模擬輸出 : 模擬電流輸出 |
輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA)
輸出阻抗：300Ω
(注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開(kāi)始追加了模擬電流輸出功能。 |
| 響應(yīng)時(shí)間 |
1.5ms/5ms/10ms 可切換 |
| 外部輸入 |
PNP無(wú)接點(diǎn)輸入
輸入條件
無(wú)效:0～+0.6V DC或開(kāi)路
有效:+4～+V DC
輸入阻抗:約10kΩ |
| 污損度 |
2 |
| 使用標(biāo)高 |
2,000m以下 |
| 耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造 |
IP67(IEC) |
| 耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度 |
-10～+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲(chǔ)時(shí)20～+60℃ |
| 耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度 |
35～85%RH、存儲(chǔ)時(shí):35～85%RH |
| 耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度 |
白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下 |
| 耐環(huán)境性:耐振動(dòng) |
耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí) |
| 耐環(huán)境性:耐沖擊 |
耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次 |
| 電纜 |
0.2mm2 5芯復(fù)合電纜, 長(zhǎng)2m |
| 電纜延長(zhǎng) |
0.3mm2以上電纜 ***多延長(zhǎng)至全長(zhǎng)10m |
| 材質(zhì) |
本體外殼:壓鑄鋁
前罩:丙烯基 |
| 重量 |
本體重量:約35g(不含電纜)、約85g(含電纜) |
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